Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

История: STM32F411RET7 STM32F412CGU6 0239.125MRET1P

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Количество	Поставка	Цена
1 шт	под заказ	312.90 BYN Купить
6 шт	под заказ	301.19 BYN Купить

Описание

производитель Infineon Infineon

номер 2001377910

Силовые IGBTи SiC модули

http://www.infineon.com

Смотреть в Google

Купить FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт по оптовой цене

Запросить цену