История:
HN1A01FE-GR,LF
RM12/I-3C90
FF400R12KT3_E
FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Изображение служит только для ознакомления. См. спецификацию продукта.
|
производитель Infineon Infineon
номер 2001377910
Силовые IGBTи SiC модули
http://www.infineon.com
Смотреть в Google |

Релейная защита и автоматика
Электропитание
Паяльное оборудование
Полупроводниковые приборы
Соединители 