История:
RM7/I-3F36
HN1A01FE-GR,LF
RM12/I-3C90
FF400R12KT3_E
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Изображение служит только для ознакомления. См. спецификацию продукта.
|
производитель Infineon Infineon
номер 2011040801
Силовые IGBTи SiC модули
http://www.infineon.com
Смотреть в Google |

Релейная защита и автоматика
Электропитание
Паяльное оборудование
Полупроводниковые приборы
Соединители 