История:
EP4CE10F17A7N
FF200R12KT4HOSA1, FF200R12KT4HOSA1,IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус
FF200R12KT4HOSA1, FF200R12KT4HOSA1,IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус
Изображение служит только для ознакомления. См. спецификацию продукта.
|
производитель Infineon Technologies Infineon Technologies
номер 2017141424
IGBT транзисторы
Смотреть в Google |

Питание
Релейная защита и автоматика 