Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
AIGW50N65F5XKSA1

AIGW50N65F5XKSA1

AIGW50N65F5XKSA1
AIGW50N65F5XKSA1
Артикул: AIGW50N65F5XKSA1
Описание: AIGW50N65F5XKSA1
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.66 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 80 A
Power Dispation 270 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-AIGW50N65F5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.66 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 80 A
Power Dispation 270 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-AIGW50N65F5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором