История:
CS92B TRE TIN/LEAD
APT25GP120BDQ1G
APT25GP120BDQ1G
Артикул:
APT25GP120BDQ1G
Описание:
APT25GP120BDQ1G
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
69 A
Power Dispation
417 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT25GP120BDQ1G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
69 A
Power Dispation
417 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT25GP120BDQ1G: Биполярный транзистор с изолированным затвором

