APT27GA90BD15
APT27GA90BD15
Артикул:
APT27GA90BD15
Описание:
APT27GA90BD15
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
900 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
48 A
Power Dispation
223 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT27GA90BD15: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
900 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
48 A
Power Dispation
223 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT27GA90BD15: Биполярный транзистор с изолированным затвором