Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G
APT35GN120L2DQ2G
Артикул: APT35GN120L2DQ2G
Описание: APT35GN120L2DQ2G
Характеристики
Manufacturer Microchip
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 94 A
Power Dispation 379 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT35GN120L2DQ2G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 94 A
Power Dispation 379 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT35GN120L2DQ2G: Биполярный транзистор с изолированным затвором