APT45GP120BG
APT45GP120BG
Артикул:
Описание:
APT45GP120BG
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
100 A
Power Dispation
625 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT45GP120BG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
100 A
Power Dispation
625 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT45GP120BG: Биполярный транзистор с изолированным затвором