APT45GP120J
APT45GP120J
Артикул:
Описание:
APT45GP120J
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
34 A
Power Dispation
329 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT45GP120J: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
34 A
Power Dispation
329 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT45GP120J: Биполярный транзистор с изолированным затвором