История:
LM8342SD/NOPB
AUIRGPS4070D0
AUIRGPS4070D0
Артикул:
AUIRGPS4070D0
Описание:
AUIRGPS4070D0
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
240 A
Power Dispation
750 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-AUIRGPS4070D0: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
240 A
Power Dispation
750 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-AUIRGPS4070D0: Биполярный транзистор с изолированным затвором

