FGA20N120FTDTU
FGA20N120FTDTU
Артикул:
FGA20N120FTDTU
Описание:
FGA20N120FTDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
25 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA20N120FTDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
25 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA20N120FTDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором