FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109
Артикул:
Описание:
FGA25N120ANTDTU-F109
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA25N120ANTDTU-F109: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA25N120ANTDTU-F109: Биполярный транзистор с изолированным затвором