FGA30N120FTDTU
FGA30N120FTDTU
Артикул:
FGA30N120FTDTU
Описание:
FGA30N120FTDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
25 V
Continuous Collector Current at 25 C
30 A
Power Dispation
339 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA30N120FTDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
25 V
Continuous Collector Current at 25 C
30 A
Power Dispation
339 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA30N120FTDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором