FGA60N60UFDTU
FGA60N60UFDTU
Артикул:
FGA60N60UFDTU
Описание:
FGA60N60UFDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
120 A
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA60N60UFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
120 A
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA60N60UFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором