Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FGAF40N60SMD

FGAF40N60SMD

FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD
Артикул: FGAF40N60SMD
Описание: FGAF40N60SMD
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 80 A
Power Dispation 79 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGAF40N60SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 80 A
Power Dispation 79 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGAF40N60SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором