Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FGB40N60SM

FGB40N60SM

FGB40N60SM
FGB40N60SM
Артикул:
Описание: FGB40N60SM
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 80 A
Power Dispation 349 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGB40N60SM: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 80 A
Power Dispation 349 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGB40N60SM: Биполярный транзистор с изолированным затвором