Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF
FGD3N60UNDF
Артикул:
Описание: FGD3N60UNDF
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 6 A
Power Dispation 60 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGD3N60UNDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 6 A
Power Dispation 60 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGD3N60UNDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором