FGH20N60UFDTU
FGH20N60UFDTU
Артикул:
FGH20N60UFDTU
Описание:
FGH20N60UFDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH20N60UFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH20N60UFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором