FGH30N60LSDTU
FGH30N60LSDTU
Артикул:
FGH30N60LSDTU
Описание:
FGH30N60LSDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH30N60LSDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH30N60LSDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором