FGH40N60UFTU
FGH40N60UFTU
Артикул:
FGH40N60UFTU
Описание:
FGH40N60UFTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60UFTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60UFTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором