FGH60N60SFDTU
FGH60N60SFDTU
Артикул:
FGH60N60SFDTU
Описание:
FGH60N60SFDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH60N60SFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH60N60SFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором