FGL40N120ANDTU
FGL40N120ANDTU
Артикул:
Описание:
FGL40N120ANDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
25 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGL40N120ANDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
25 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGL40N120ANDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором