История:
CS92M APM TIN/LEAD
S6B-CCH-1L.M-M32
FGP20N60UFDTU
FGP20N60UFDTU
Артикул:
FGP20N60UFDTU
Описание:
FGP20N60UFDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGP20N60UFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGP20N60UFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором

