Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IGB10N60TATMA1

IGB10N60TATMA1

IGB10N60TATMA1
IGB10N60TATMA1
Артикул: IGB10N60TATMA1
Описание: IGB10N60TATMA1
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 24 A
Power Dispation 110 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGB10N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 24 A
Power Dispation 110 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGB10N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором