Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IGB15N65S5ATMA1

IGB15N65S5ATMA1

IGB15N65S5ATMA1
IGB15N65S5ATMA1
Артикул: IGB15N65S5ATMA1
Описание: IGB15N65S5ATMA1
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.35 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 35 A
Power Dispation 105 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGB15N65S5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.35 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 35 A
Power Dispation 105 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGB15N65S5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором