IGD01N120H2
IGD01N120H2
Артикул:
IGD01N120H2
Описание:
IGD01N120H2
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGD01N120H2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGD01N120H2: Биполярный транзистор с изолированным затвором