История:
P2600ECMCLRP2
IGD06N60TATMA1
IGD06N60TATMA1
Артикул:
IGD06N60TATMA1
Описание:
IGD06N60TATMA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
12 A
Power Dispation
88 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGD06N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
12 A
Power Dispation
88 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGD06N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором

