Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IGP30N60H3

IGP30N60H3

IGP30N60H3
IGP30N60H3
Артикул: IGP30N60H3
Описание: IGP30N60H3
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Power Dispation 187 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGP30N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Power Dispation 187 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGP30N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором