Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IGP30N65F5XKSA1

IGP30N65F5XKSA1

IGP30N65F5XKSA1
IGP30N65F5XKSA1
Артикул:
Описание: IGP30N65F5XKSA1
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 55 A
Power Dispation 188 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGP30N65F5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 55 A
Power Dispation 188 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGP30N65F5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором