Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IGW30N65L5XKSA1

IGW30N65L5XKSA1

IGW30N65L5XKSA1
IGW30N65L5XKSA1
Артикул: IGW30N65L5XKSA1
Описание: IGW30N65L5XKSA1
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.05 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 85 A
Power Dispation 227 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGW30N65L5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.05 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 85 A
Power Dispation 227 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGW30N65L5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором