Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IHW30N120R5XKSA1

IHW30N120R5XKSA1

IHW30N120R5XKSA1
IHW30N120R5XKSA1
Артикул:
Описание: IHW30N120R5XKSA1
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Power Dispation 330 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IHW30N120R5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Power Dispation 330 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IHW30N120R5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором