Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IKFW40N60DH3EXKSA1

IKFW40N60DH3EXKSA1
IKFW40N60DH3EXKSA1
Артикул: IKFW40N60DH3EXKSA1
Описание: IKFW40N60DH3EXKSA1
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 34 A
Power Dispation 111 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKFW40N60DH3EXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 34 A
Power Dispation 111 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKFW40N60DH3EXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором