Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IKFW60N60EH3XKSA1

IKFW60N60EH3XKSA1

IKFW60N60EH3XKSA1
IKFW60N60EH3XKSA1
Артикул: IKFW60N60EH3XKSA1
Описание: IKFW60N60EH3XKSA1
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 63 A
Power Dispation 164 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKFW60N60EH3XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 63 A
Power Dispation 164 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKFW60N60EH3XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором