Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IKW25N120H3XK

IKW25N120H3XK

IKW25N120H3XK
IKW25N120H3XK
Артикул:
Описание: IKW25N120H3XK
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 50 A
Power Dispation 326 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKW25N120H3XK: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 50 A
Power Dispation 326 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKW25N120H3XK: Биполярный транзистор с изолированным затвором