Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IKW30N60H3FKSA1

IKW30N60H3FKSA1

IKW30N60H3FKSA1
IKW30N60H3FKSA1
Артикул:
Описание: IKW30N60H3FKSA1
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Power Dispation 187 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N60H3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Power Dispation 187 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKW30N60H3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором