Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IKW50N60H3FKSA1

IKW50N60H3FKSA1

IKW50N60H3FKSA1
IKW50N60H3FKSA1
Артикул: IKW50N60H3FKSA1
Описание: IKW50N60H3FKSA1
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 100 A
Power Dispation 333 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60H3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 100 A
Power Dispation 333 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N60H3FKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором