Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IRG4PH50UDPBF

IRG4PH50UDPBF

IRG4PH50UDPBF
IRG4PH50UDPBF
Артикул: IRG4PH50UDPBF
Описание: IRG4PH50UDPBF
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 45 A
Power Dispation 200 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH50UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 45 A
Power Dispation 200 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PH50UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором