Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IRG4PSH71UDPBF

IRG4PSH71UDPBF

IRG4PSH71UDPBF
IRG4PSH71UDPBF
Артикул: IRG4PSH71UDPBF
Описание: IRG4PSH71UDPBF
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.52 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 99 A
Power Dispation 350 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PSH71UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.52 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 99 A
Power Dispation 350 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PSH71UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором