История:
IRG4PC30FDPBF
IRG4PH40UD2-EP
IRG6B330UDPBF
IRG6B330UDPBF
Артикул:
IRG6B330UDPBF
Описание:
IRG6B330UDPBF
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
330 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.69 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
70 A
Power Dispation
160 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRG6B330UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
330 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.69 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
70 A
Power Dispation
160 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRG6B330UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором

