Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IRG7PH35UDPBF

IRG7PH35UDPBF

IRG7PH35UDPBF
IRG7PH35UDPBF
Артикул: IRG7PH35UDPBF
Описание: IRG7PH35UDPBF
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 50 A
Power Dispation 180 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRG7PH35UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 50 A
Power Dispation 180 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRG7PH35UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором