IRGP4069DPBF
IRGP4069DPBF
Артикул:
IRGP4069DPBF
Описание:
IRGP4069DPBF
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
76 A
Power Dispation
268 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4069DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
76 A
Power Dispation
268 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4069DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором