IXBH10N170
IXBH10N170
Артикул:
IXBH10N170
Описание:
IXBH10N170
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH10N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH10N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором