История:
IXGH40N120A2
IXBH40N160
IXBH40N160
Артикул:
IXBH40N160
Описание:
IXBH40N160
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
350 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH40N160: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
350 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH40N160: Биполярный транзистор с изолированным затвором

