История:
NSVDTA113EM3T5G
IXBH42N170
IXBH42N170
Артикул:
Описание:
IXBH42N170
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
360 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH42N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
360 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH42N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором

