IXBH42N170A
IXBH42N170A
Артикул:
IXBH42N170A
Описание:
IXBH42N170A
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
5.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH42N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
5.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH42N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором