История:
IXGH40N120A2
IXBH9N160G
IXBH9N160G
Артикул:
IXBH9N160G
Описание:
IXBH9N160G
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
4.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH9N160G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
4.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH9N160G: Биполярный транзистор с изолированным затвором

