IXBT16N170A
IXBT16N170A
Артикул:
IXBT16N170A
Описание:
IXBT16N170A
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
150 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT16N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
150 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT16N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором