История:
FS200R12PT4PBOSA1
IXBT42N170
IXBT42N170
Артикул:
IXBT42N170
Описание:
IXBT42N170
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT42N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT42N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
