IXDH20N120
IXDH20N120
Артикул:
IXDH20N120
Описание:
IXDH20N120
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXDH20N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXDH20N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором