Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXDH30N120D1

IXDH30N120D1

IXDH30N120D1
IXDH30N120D1
Артикул: IXDH30N120D1
Описание: IXDH30N120D1
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Power Dispation 300 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXDH30N120D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Power Dispation 300 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXDH30N120D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором